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株式会社TAK薄膜デバイス研究所
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汎用的なスパッタ法にて窒化ガリウムや酸化ガリウムを成膜することで安価で工業的に広く応用できるようにすることで社会に貢献することを目的としています。将来は量産装置の開発まで行いたいと考えています。現状は小型の装置での実験で、GaNおよびGa2O3がそれぞれ高速にエピタキシャル成長することを確認しております。