窒化ガリウム半導体デバイス市場:デバイスタイプ、デバイス、コンポーネント、ウエハーサイズ、電圧範囲、用途、最終用途別-2024-2030年の世界予測
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窒化ガリウム半導体デバイス市場規模は2023年に222億2,000万米ドルと推定され、2024年には234億6,000万米ドルに達し、CAGR 6.05%で2030年には335億4,000万米ドルに達すると予測されています。
窒化ガリウム(GaN)半導体デバイスは、窒化ガリウムから作られた電子デバイスまたはコンポーネントであり、シリコンと比較して優れた電子移動度、熱伝導性、耐電圧特性を提供します。GaN半導体デバイスは、より高い温度、電圧、周波数で機能する能力により、高効率の電力システム、RF通信、照明アプリケーションの実現に不可欠であり、様々な産業におけるエネルギー効率と性能を向上させます。GaN半導体デバイス市場の成長は、効率的なパワーエレクトロニクスに対する需要の高まりと、電気自動車や再生可能エネルギーシステムの採用急増によって後押しされています。5G技術に向けた高度な無線インフラへのニーズが、GaN半導体デバイスの需要を牽引しています。しかし、従来のシリコン技術に比べてGaN製造に伴う初期製造コストが高く、パッケージングや熱管理に関する技術的なハードルが大きな障壁となる可能性があります。ワイヤレス充電、衛星通信、スマートグリッド電力システムなどの新しい応用分野は、GaNデバイスの信頼性の革新やコスト効率の高い製造技術の市場開拓とともに、市場成長の機会をもたらすと期待されています。
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